Avanceret mikro- og nano-fabrikationsteknologi

• Benytte analytisk – lineær eller ulineær – modellering til en indledende optimering i procesfølge udvikling samt anvende analytisk modellering til støtte for fortolkning af resultater fra numerisk modellering
• Redegøre for den fascinerende vekselvirkning mellem diffusion, oxidation og nitridation forårsaget af punktdefekter samt forudsige resultatet af disse effekter på en fremstillingsproces
• Redegøre for den grundlæggende fysik for molekyler og atomer i et vakuumkammer, det basale udstyr til at frembringe og måle lave tryk samt brugen af DC- og RF-genereret plasma til deponering og ætsning
• Redegøre for hvorledes filmdyrkningsproces parametre påvirker filmenes parametre, herunder trindækning og fyldning af grøfter, samt benytte denne indsigt til at optimere procesparametrene med henblik på at opfylde et sæt specifikationer
• Redegøre for hvorledes parametrene for en ætseproces påvirker ætseegenskaberne, herunder selektiviteten og anisotropien, og på baggrund heraf kunne justere ætseparametrene for at realisere foreskrevne egenskaber
• Redegøre for hvordan krystaldyrkningsmetoden påvirker siliciumkrystallens egenskaber og vekselvirker med efterfølgende komponentfremstillings-processer og på basis heraf vælge det bedste startmateriale for en given anvendelse
• Redegøre i detalje for UV-litografiens fysik og fotokemi og benytte denne viden til at optimere den litografiske proces også når omvendeprocesser benyttes
• Vælge den mest hensigtsmæssige doteringsmetode til en given anvendelse og til fulde forstå konsekvenserne af valget med hensyn til termisk budget, defekter, muligt doteringsniveau og kontrol

Fysik og kemi for halvlederteknologiske fremstillingsprocesser, herunder krystaldyrkning, epitaxi, tyndfilmteknik, lavtryks CVD, oxidation, diffusion, ionimplantation, ætsning og mikrofotolitografi samt fysisk og elektrisk evaluering af materialer.

22600, Eller ækvivalente kurser

En 4 timers blok pr. uge med forelæsninger og opgaveregning.

Kurset kan tages som en overbygning til 22600.